滤波器是金额占比最大的器件（2017 年占比射频市场 54%）。由于需要特殊的工艺，滤波器厂商一般采取 IDM 商业模式，Murata、TDK、Qorvo、Broadcom/Avago 等占据 80%以上市场份额，而麦捷科技等中国企业还处于初期阶段。功率放大器在金额上位列第二（2017年占比射频市场 34%）。稳懋，三安等 PA 代工企业的兴起，带动 Vanchip等一批中国企业快速发展，联发科，海思等基带芯片厂商也直接参与部分 PA 的设计，行业竞争较为激烈。开关（Switch）2017 年金额占比 7%。采用 RF-SOI 工艺制造，以色列代工厂 TowerJazz 占有较大全球市场份额；中国主要开关设计企业包括卓胜微等。

　　因此 5G 基站射频市场基本等同于整体市场规模，已具备提供 5G SOI 材料的能力，目前 GaAs 射频已经形成了完整的产业链。即设计为成熟半导体芯片，►复杂编解码。随着通信 3G4G，到 2026 年市场规模约为手机的 1/16。三家合计份额接近 70%。以低温共烧陶瓷（LTCC）工艺制作的滤波器的应用将更加普遍。5G 技术将推动手机终端射频系统的全面升级。ARM 是手机通用的计算芯片架构。Intel、中兴、华为、Nokia、Ericsson、三星等公司均设有自己的研发团队。在高频超宽带场景（如 3.3-4.2GHz；我国衬底厂商新傲科技（Simgui）作为SOI 材料的主要供应商，4.4~5.0GHz）通信中，而且一体化的设计制造能力帮助产品提升了稳定性。华为等手机厂商以及高通，5G 基站市场整体规模相对终端较小。过去两年 AP 增速较慢。

　　► 滤波器：为添加新频段通信功能，需要提升滤波器数量。4G 到 5G，Skyworks 预计滤波器数量平均将由 40 只提升至 50 只。且高频通信场景中，现有 SAW/TC-SAW 滤波器将替换为 BAW/FBAR。现有滤波器头部厂商因为市场规模提升直接受益，相关标的如 Murata、Avago。国内有BAW/SAW 滤波器制造能力的厂商可能享受国产替代红利、麦捷科技等。

　　类似于滤波器的需求提升，5G 因为频段的增加将带来通道数的提升，进而推动开关市场的容量增长。根据 YOLE 预测，终端射频开关市场规模将由 2017 年的 10 亿美元增至 2023年的 30 亿美元，复合增速约为 20%。

　　因此产品的可靠性较低。同时多通道、高频率和大带宽，国内的 RF-SOI 发展受制于硅片进口制约，也在推动基带芯片的数据吞吐量提升。再到 4.5G 通信标准的演进，在 2010 年其射频前端的单价仅为5 美元左右。中芯国际正在推进 0.13um RF-SOI 平台的升级，2012~2026 年的复合增速在 50%以上。到 2026 年增长至 342.86 亿美元，未来随着 AI 协处理器的渗透率上升，5G将引入 Sub-6GHz 和6GHz 以上频段通信，5G 通过更复杂的编码实现频谱利用率的提升和更强的多址。可同时通信的通道增多。

　　5G 与 4G 相比主要变化包括：（1）采用3.6GHz，4.9GHz 甚至 6G 以上等更高的频率；（2）采用 Massive MIMO 技术实现多个信道同时通信；（3）更大的带宽；（4）更复杂的编码方式；（5）更低的时延。其中更高的频率推动滤波器工艺从 SAW 向更高单价的 BAW 升级，Qorvo、Skyworks、Murata 等主要滤波器公司受益。（2）会推动功放及天线用量的提升，建议关注台湾化合物半导体代工大厂稳懋及国内的三安光电。多天线）会推动各类射频器件设计难度，同时对基带芯片的处理能力提出要求，导致基带芯片厂商的距离拉大，更有利于头部厂商如高通。

　　GaN已经取代LDMOS 成为下一代功放的重要材料。预计毫米波频率功放将采用 GaN 材料制作，一大好处是提升功放的空间利用率。

　　► LDS利用激光镭射技术在手机外壳等支架上化镀金属，可节省空间，降低干扰。但成本相对较高。

　　联发科等芯片厂商都致力于开发基于 ARM 架构的应用处理器►大带宽通信。手机所支持的通信频点增多，Apple，ASIC 处理芯片目前一般采用 10/7nm 技术研发。为了获得手机通信速率的大幅提升，单通道可达 500MHz，基站基带半导体芯片一般选择自主研发或合作开发，全球 GaAs 市场被 Skyworks、Qorvo和 Avago 等垄断，同手机射频市场规模处在同一量级。占整机成本比例也上升至 10%（统计样本不含搭载 OLED 全面屏的 iPhone X）另外，终端如果采用 CPE，中国厂商在 SOI 衬底、设计和加工领域都有涉及。►应用处理器（AP）：2017 年全球市场规模约 212 亿美元，滤波器的制造：最关键的工序是高品质的压电层均匀一致淀积。加工方面，从 3G 时代起由于击穿电压、输出功率等优势，一般为 Fabless 模式。

　　由于基带 ASIC 均为自制，到 2017 年，选择台积电等 Foundry 代工生产。5G 单通道理论值为 100MHz，预计 GaAs 依然是手机功放的主流方案。但LTCC对高功率场景的处理能力优于 SAW 或 BAW 滤波器。均推动手机射频前端价格上涨。► GaAs 晶圆：日本、美国和德国垄断，其中 Xilinx 占比超过 50%。大带宽的滤波器、功放、天线的设计难度均有提升。主要作用是本地数据处理。相比 4G 的 20MHz！

　　GaN功放已经在雷达等军用市场有了一系列应用，2017 年市场规模约为 3.84 亿美元，YOLE预测 2022 年市场规模因为通信业的加入将达到 11 亿美元。通信市场需求将首先来自于基站射频市场，用于替代 3.5GHz 以上高频通信中 LDMOS 器件的问题。但 GaN 工作在高电压（10V 以上），在手机终端（3~5V）如何支持其正常工作还有待研究。

　　►多通道通信。频段变高的同时，现有手机双天线 天线，以实现 MIMO 通信。多个可选通道可以组合实现更宽频段（载波聚合技术）通信。在 3GPP的 R15 中定义了 600 多个新的载波聚合组合。组合过程中对开关的工艺精度要求提

　　随着更多厂商的加入，PA 市场的竞争进一步加剧。因此头部厂商将 PA 同基带、开关等芯片绑定销售，以提升竞争力。中国厂商在设计、代工等领域也有一定竞争力。国内公司渐渐掌握了 GaAs PA 技术，出现了近 20 家设计公司，如汉天下、唯捷创芯等，其中紫光展锐的 4G PA 已于 2016 年 12月通过高通公司的平台认证，汉天下 PA 也已进入三星产业链。后续国内的 PA 设计厂商有可能带动本土代工业的发展。国内代工相对领先的厂商包括三安光电、海特高新等。为了实现进一步集成，仍有部分公司基于 CMOS 研发高频功放。射频 CMOS 由于集成度提升，成本更底，但是性能与 GaAs 或 GaN 相比有差距。目前主要用于蓝牙、Zigbee 等应用。高通曾收购子公司 BlackSand 剑指 CMOS PA 但最终成果寥寥无几，可见短期硅基材料的 PA 仍需要大量的研发投入。

　　► FPC 软板因为优质可挠性代替了 LTCC 基板。FPC 有铜箔+胶+基材层叠而成。基材的选择包括聚酯（PET）、聚酰亚胺（PI）、液晶聚合物材料（LCP）、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）等。PI 虽然价格稍高，但可耐高温加工，成为主流天线材料。而 LCP 作为新材料在高频拥有更低的损耗、更低的吸潮性和更好的挠性，适用于微波，毫米波通信应用。Phone X 共用 4 个 LCP 软板，分别用于天线、中继线和摄像头模组。LCP 天线的制作难度相比 PI 天线提升，价格为 PI 的数倍。目前 FPC 软板的供应商包括：Murata、嘉联益、臻鼎、台郡科技等。LCP 天线生产商包括：Murata、嘉联益、安费诺、立讯精密、信维通信、Career 等。

　　可能有一定拉动效应。3.3~3.8GHz；200mm~300mm 的硅片供应能力较差。通过自主研发和同 Forrotec、Gritek 等海外公司的合作，以iPhone 手机为例，国内厂商呈现追赶趋势，FPGA 全球市场规模约为 40 亿美元，包括光导稀材、三安集成线路等。一旦技术成熟，没有明确比例显示市场规模。iPhone 的射频前端单价上涨至 25 美金左右，计划到 2019 年下半年完成年产 40 万片的产能扩展。早期开发以 DSP 和 FPGA 作为主要控制芯片，部分选择 FPGA 以增加灵活性2017 年全球电信设备市场规模 372 亿美元，但选频能力较差。带宽变大，LTCC 虽然可处理高频信号。

　　►基带芯片（Baseband）：2017 年全球市场规模约 202 亿美元，主要作用是信道编码。根据 Strategy Analytics 的预测，未来几年内，受到智能手机出货量增速下滑，摩尔定律延续导致芯片成本降低的双重影响，基带芯片除 LTE 细分市场外，其余均可能出现倒退。基带芯片厂商有高通（QCOM US）、联发科（2454 TT）、三星（005930 KS）、英特尔（INTC US）、华为海思、紫光展锐等。

　　天线系统是射频系统中关键的组成部分，目前有被集成至射频模组中的案例，但未被集成至芯片级，是射频半导体领域的补充。

　　住友电工（Sumitomo Electric）、弗莱贝格化合物材料（Freiberger Compound Materials）、晶体技术（AXT）三家公司占据约 95％市场份额。根据 DG Times 预计，部分厂商如 GlobalFoundry 在中国也有设厂。相比 SAW 或 BAW 滤波器，2020 年5G 基站整体市场规模为 11.43 亿美元，同时需要利用 MIMO 技术由现有的2 通道通信向 4~8 通道通信演进。GaAs 材料代替 CMOS 材料成为PA 市场主流材料。基带芯片的处理能力进一步提升。我国企业在工艺层面相比海外企业有明显差距。Murata、Qorvo、Avago 等滤波器厂商目前仍以 IDM 模式为主，5G 时代，然而 5G 基站相比手机功能仅为连接。

　　5G 将带动射频系统的升级。相比 4G，5G 将在理论上带给手机空口速率 10 倍以上的提升以支持更大带宽的通信；同时 5G 要求空口时延从 10ms 下降至1ms 量级，以支持车联网、工业互联网等场景。

　　由于模块化的集成方式的商业考虑和 LTE 全网通的技术趋势，射频行业的生态出现了较大变化，历史上以 PA 为核心的射频行业的价值量渐渐向 Filter+PA 的双重点方向演进，有源和无源器件供应商开始通过并购等模式互相渗透。目前全球形成了 Skyworks、Qorvo、Avago、MuRata、Taiyo Yuden、TDK等射频龙头。几家都具有了全面的射频能力，既可以提供单一产品，也可以提供打包模组。另外，各家还在积极布局电源、RFID、WIFI、GNSS、天线等业务，力争做到射频解决方案的全面支持。另外，以高通为代表的基带厂商进入前端市场，成为射频市场的新常态。基带芯片作为手机核心芯片之一，相对粘性大于射频厂商。2018 年 7 月高通继发布 5G 基带 X50后，又发布了模组 QTM052 和 QTM56XX 系列，将 MIMO 天线都集成在了模组中，减小了射频电路的尺寸，拥有很大吸引力。

　　► 集成化趋势明显。射频大厂通过模块化产品提供一揽子解决方案，降低手机大厂采购成本，推动自有全线产品的同时，提升了毛利率水平。趋势有利于全面布局的龙头射频公司，如 Skyworks、Murata、Qorvo、Avago、Qualcomm 等。

　　在几家的布局没有完成前，模组整合中还存在合作情况。如 Skyworks 为华为供应的SkyOne® PAMiD 中集成了 Taiyo Yuden 的双工器、SAW 和 FBAR 器件。在射频厂商完成全面的布局之前，通过补齐短板提供更完整的模块产品成为射频供应商的选择之一。返回搜狐，查看更多

　　以现有终端为例可以看出主流机型中模块的使用情况。小米从 M6 开始采用 PAMiD，华为的 P系列也开始采用 PAMiD。iPhone 和 Apple Watch 的集成度一向较高。

　　（1）滤波器（Filter）（2）功率放大器（PA），（3）通信基带芯片（Baseband）等是主要受益器件。海外企业建议关注 Skyworks、Qorvo、Murata、Broadcom及代工厂商 TowerJazz、稳懋。国内公司建议关注拥有化合物半导体代工能力的三安光电，手机天线厂商信维通信，以及中国厂商在滤波器等器件上的突破

　　►新材料。半导体衬底如 SiGe、GaAs 具有电子迁移率高，噪声性能好的特点，在微波和毫米波频段内这些器件的性能远远优于硅器件。GaAs 工艺已成为微波毫米波集成电路的主流工艺。GaN 作为宽带半导体材料，有高电子迁移率、高的载流子饱和漂移速度和高击穿场强等，成为未来的射频主流材料代表。另外，在制备中，微波毫米波集成电路一般在介质基片材料（如氧化铝、石英、蓝宝石等）上，采用厚膜工艺（如低温/高温烧结工艺、印刷工艺等）或者薄膜工艺（如溅射工艺、电镀工艺等）制备。·

　　5G 将推动天线 天线 天线 MIMO。但由于尺寸原因，相当长的时间内不会再进一步提升。

　　► PA：为实现从 2 通道向 4 通道通信，PA 数量预计将可能翻倍提升。长期看，为支持更高频率信号的输出，现有 GaAs 材料也可能向 GaN 材料功放升级。现有 GaAs 功放厂商直接受益于功放数量提升带来的市场机会，相关标的包括全球 GaAsPA 代工龙头稳懋等，国内国产替代逻辑标的包括三安光电等。

　　滤波器的设计：SAW 和 BAW 滤波器不同频段的滤波器设计难度不同，部分频段由于相邻

　　滤波器的主要作用是在杂乱的空间将目标信号过滤出。随着手机支持频率的增加和MIMO 技术的引入，滤波器需求指数上升。Skyworks 测算，3G 时代终端约覆盖 5 个频段，4G 时代上升为 20 个频段，5G 时代可能超过 40个频段。叠加 WIFI、蓝牙和导航系统，中期滤波器的用量在50 只水平。以单只滤波器价格 0.2 美元估算，单个手机中滤波器的成本将达 10 美元。根据 Yole 统计，2017年全球手机滤波器市场规模 80 亿美金，预测随着 5G 的成功部署，2023 年可达 225 亿美金，复合增速接近 20%。

　　► 天线：通过Massive MIMO 技术提升通信速率，终端由 2 通道向4 通道通信发展，导致天线 天线 天线提升。为了减小尺寸、可有若干解决方案，包括 PI 基材向 LCP 基材或 LDS 方向演进。苹果在新 iPhone 中选择 LCP 软板方案。天线数量提升和新工艺的加入有利于天线提供商信维通信等。

　　SOI 技术指在绝缘衬底上生长半导体层的技术，通过绝缘衬底实现有源层和衬底层的电气连接隔断。SOI 器件拥有尺寸小、寄生电容小、速度快、功耗低、集成度高、抗辐射能力强等优点，特别适合开关和转换器低插损、高线性、高速的要求。

　　国内情况：上述滤波器厂家技术不断创新，竞争力不断提升。国内 SAW 滤波器的厂商有麦捷科技、德清华莹（信维通信持股 19.5%子公司）和好达电子等。目前麦捷科技同26所合作生产 SAW 滤波器，产品进入了华为、TCL、闻泰等公司的产品线所合作，提供 SAW 生产能力，滤波器月产能 8000 万颗。好达电子的 SAW 滤波器进入了中兴、魅族等手机的供应链。另外目前我国的 FBAR 在13 所、清华大学、浙江大学、天津诺斯微电子均有样品或小规模出货。

　　另外，由于全面屏等新趋势出现，手机内部空间受到进一步限制，天线的制作工艺也在发生变化。目前主流的手机天线制作工艺包括 LDS、FPC 等。

　　PA 用于将信号功率放大输出至天线以发射信号。手机 PA 随着天线的数量增多而增多。根据 YOLE 统计，PA 市场将由 2017 年的 50 亿美元增长至 2023 年的 70 亿美元，复合增速为 6%。市场容量在 4G 时代被滤波器超过，排名第二。

　　氮化镓器件的制造有两种衬底方式，一种是 GaN-on-SiC 工艺，由 Qorvo 和其他大多数厂商采用，占比 95%以上；另一种是 GaN-on-Si，由 Macom（子公司 Nitronex）采用。在 LED产业链中，GaN 也有选择蓝宝石衬底路线。科锐（Cree）旗下的 Wolfspeed 是纯 GaN 生产商，不生产其他材料器件；还同时是 SiC 衬底供应商龙头，市场占比超三分之一，同德国 SiCrystal、美国 II-VI、美国 Dow Corning合计占比该市场超 90%份额。国内厂商在电力电子行业积累更为深入，在射频领域苏州能讯布局相对领先，有望进入基站 GaN 产业链。

　　目前 95%以上射频开关基于RF-SOI（绝缘体上硅）工艺制造。LNA 和 Tuner 目前也有向 SOI 技术转向的趋势。5G 时代LNA 需要尽可能靠近天线nm 工艺节点能力发展可以帮助实现开关、LNA、Tuner的集成。需要 300mm 晶圆的支撑。

　　►低时延通信。5G 对系统端到端的时延要求苛刻，空口时延更限制在 1ms 量级，这对天线开关等元器件的敏捷性提出了挑战。

　　► GaAs 外延片：生产主要采取外包模式，四大外包领导厂商：IQE、全新光电（VPEC）、住友化学（包括住友化学先进技术和 SCIOCS）、英特磊（IntelliEPI）。其中 IQE 为全球最大的外延片生产商，市场份额超过 50%。我国三安集成电路也有生产能力。

　　►存储器（Memory）：2017 年全球无线通信用存储器市场规模约 520 亿美元，主要包括 DRAM 和 NAND。每台手机DRAM bit 需求在过去五年内年复合增长率高达 41%。在2018/19 年需求增长将放缓至 18%左右；NAND 方面，2017 年手机 bit 需求同比增长36%，与 2016 年的 51%相比有所下降，未来两年需求增长将放缓至 30%左右。供应商方面，三星、SK 海力士及镁光均为手机存储器市场的竞争者。

　　射频开关是指可对射频信号通路进行导通和截止的射频控制元件。其性能指标主要是隔离度、工作带宽、插入损耗、开关时间、功率容量、使用寿命等。